دیتاشیت TPH2R608NH,L1Q
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
TPH2R608NH,L1Q
|
| حجم فایل |
78.543
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
9
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
TOSHIBA TPH2R608NH,L1Q
-
Power Dissipation (Pd):
142W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
72nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
75V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
6000pF@37.5V
-
Continuous Drain Current (Id):
150A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@1mA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
2.6mΩ@10V,50A
-
Package:
SOP
-
Manufacturer:
TOSHIBA
